電(diàn)子負载(zài)可(kě)以(yǐ)模拟真實(shí)环(huán)境中(zhōng)的(de)負载(zài)（用(yòng)電(diàn)器），一般对(duì)電(diàn)源要(yào)求比較严格的(de)廠(chǎng)家(jiā)都会(huì)用(yòng)電(diàn)子負载(zài)来(lái)檢測電(diàn)源的(de)好(hǎo)坏。它有(yǒu)好(hǎo)多(duō)功能(néng)，可(kě)以(yǐ)調节(jié)負载(zài)大(dà)小，以(yǐ)及(jí)短(duǎn)路(lù)，过(guò)流，動(dòng)态等等，應(yìng)該说所(suǒ)有(yǒu)的(de)電(diàn)源廠(chǎng)家(jiā)都会(huì)有(yǒu)用(yòng)，而(ér)且(qiě)也(yě)必需有(yǒu)。

電(diàn)子負载(zài)是(shì)由(yóu)電(diàn)阻，電(diàn)感(gǎn)，電(diàn)容，晶體(tǐ)管(guǎn)，集成電(diàn)路(lù)組成。

電(diàn)子負载(zài)的(de)原理(lǐ)是(shì)控制內(nèi)功率MOSFET或晶體(tǐ)管(guǎn)的(de)導通(tòng)量(liàng)(量(liàng)占空(kōng)比大(dà)小),靠功率管(guǎn)的(de)耗散功率消耗電(diàn)能(néng)的(de)設備,它能(néng)够正(zhèng)确檢測出負载(zài)電(diàn)壓,精确調整負载(zài)電(diàn)流,同(tóng)时(shí)可(kě)以(yǐ)實(shí)現(xiàn)模拟負载(zài)短(duǎn)路(lù),模拟負载(zài)是(shì)感(gǎn)性(xìng)阻性(xìng)和(hé)容性(xìng),容性(xìng)負载(zài)電(diàn)流上(shàng)升(shēng)时(shí)間(jiān)。一般開(kāi)關(guān)電(diàn)源電(diàn)源的(de)調試檢測是(shì)不(bù)可(kě)缺少(shǎo)的(de)。